n溝道增強型絕緣柵型場效應管是以一塊雜質濃度較低的p型半導體作襯底，在它上面擴散兩個高濃度的n型區(qū)，各自引出一個為源極s和漏極d，在漏極和源極之間有一層絕緣層（ si o 2 ），在絕緣層上覆蓋有鋁做為柵極g，其結構和符號如圖1所示。
如圖2所示，當 u gs =0，在ds間加上電壓 u ds 時，漏極d和襯底之間的pn結處于反向偏置狀態(tài)，不存在導電溝道，故ds之間的電流 i d =0。當 u gs 逐漸加大達到某一值（開啟電壓 u t ）時，由于電場的作用，柵極g與襯底之間將形成一個n型薄層，其導電類型與p型襯底相反，稱為反型層。由于這個反型層的存在使得ds之間存在一個導電溝道， i d 開始出現(xiàn)，而且溝道的寬度隨 u gs 的繼續(xù)增大而增大，所以稱為增強型場效應管。它的特點是：當 u gs =0， i d =0； u gs ＞ u t ， i d ＞0。
可見增強型絕緣柵場效應管的漏極電流 i d 是受柵極電壓 u gs 控制的，它與結型場效應管一樣是電壓控制型器件，所不同的是它必須在為 u gs 正且大于 u t 時才能工作。